瞻芯电子第二代SiCMOSFET正式开启量产交付

2023-08-23 14:29:08来源：面包芯语

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文

8月20日，瞻芯电子官微表示，其依托自建的碳化硅(SiC)晶圆产线，开发了第二代碳化硅(SiC)MOSFET产品，其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日获得了AEC-Q101车规级可靠性认证证书，而且通过了新能源行业头部企业的导入测试，正式开启量产交付。

(资料图片)

据介绍，瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。

同时，第二代SiC MOSFET产品依然保持高可靠性与强鲁棒性，在AEC-Q101车规可靠性认证、短路测试、浪涌测试中等评估中表现优良。

据了解，瞻芯电子将在2023年陆续推出更多规格类型的第二代SiC MOSFET，耐压等级包括650V/750V/1200V/1700V，导通电阻覆盖14mΩ-50Ω，并且大都采用车规级标准设计。

据官方介绍，瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅（SiC）半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港。公司致力于开发SiC功率器件、驱动和控制芯片、SiC功率模块产品，并围绕SiC应用，为客户提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。

官方资料显示，瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司，并建成了一座车规级SiC晶圆厂，标志着瞻芯电子顺利实现由Fabless迈向IDM的战略转型，进入中国领先SiC功率半导体公司行列。

来源：全球半导体观察

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。

据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。

在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。

会议主题包括但不限于

国际形势对中国第三代半导体发展的影响

第三代半导体市场及产业发展机遇

6寸与8寸SiC项目投资与市场需求

SiC长晶工艺技术与设备

净化工程与EPC工程项目实践

8英寸SiC国产化进程和技术突破

SiC市场以及技术发展难题&解决方案

SiC与GaN外延片技术进展

大尺寸GaN长晶难点及技术展望

GaN材料技术进展